창신메모리테크놀로지(CXMT) 상하이 증시 상장 및 한국 반도체 위기론

중국 내 D램 생산능력 1위이자 세계 4위 업체인 창신메모리(CXMT)가 2026년 7월 9일 상하이증권거래소에 투자설명서를 제출하고 IPO 절차를 본격화했다. CXMT는 총 295억 위안(약 6조 5,000억 원)의 자금을 조달해 생산라인 업그레이드와 차세대 D램 연구개발에 집중 투자한다. 특히 고대역폭메모리(HBM)보다는 DDR5와 LPDDR5X 등 범용 D램 제품군을 앞세워 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론과의 격차를 좁히는 전략을 세웠다. 인공지능 서버 투자 확대로 범용 D램의 수요와 수익성이 높아진 시장 상황을 공략해 글로벌 메모리 시장의 영향력을 확대하려는 의도로 풀이된다.

중국 안후이성 허페이 소재의 창신메모리테크놀로지가 상하이 증시 상장을 위해 2026년 7월 16일부터 공모주 청약에 나섰다. CXMT는 AI 서버 수요 폭증으로 인한 범용 D램 시장의 틈새를 공략해 2025년 첫 흑자 전환에 성공하며 가파른 성장세를 보였다. 회사는 이번 공모를 통해 약 295억 위안(약 6조 5,000억 원)의 자금을 조달해 생산라인 기술 업그레이드와 차세대 D램 연구개발에 투입할 계획이다. 7월 하순 거래가 개시되면 시가총액은 약 5,792억 위안(약 118조 원)에 달할 전망이며, 이는 중국 반도체 자립의 상징적 사건으로 평가받는다.

창신메모리테크놀로지가 2026년 7월 27일 상하이증권거래소 과학혁신판(STAR Market)에 공식 상장하며 중국 본토 증시 사상 두 번째로 큰 규모의 기업공개를 기록했다. 주가는 공모가 8.66위안 대비 장중 최고 535%까지 폭등해 시가총액 1위인 중국공상은행을 추월했다. CXMT는 이번 상장을 통해 최대 666억 1,000만 위안(약 14조 4,000억 원)의 자금을 조달해 12인치 웨이퍼 생산라인 증설과 고대역폭메모리(HBM) 연구개발에 집중 투자할 방침이다. 시장은 중국의 반도체 자립 의지와 막대한 자본력이 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 글로벌 D램 시장의 '3강 체제'를 흔들 수 있다고 분석한다. 다만 첨단 공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비 확보가 제한적이라는 점이 기술적 추격의 한계로 지적된다.

중국 창신메모리(CXMT)의 상하이 증시 상장 흥행과 심자외선(DUV) 노광장비 자체 양산 소식이 전해지며 국내 반도체 투자 심리가 급격히 위축되었다. 2026년 7월 28일 SK하이닉스 주가는 최대 14.65% 급락했고, 삼성전자 역시 12~13%대 폭락세를 보였다. 이는 전날 뉴욕 증시에서 엔비디아와 마이크론 등 미국 반도체주가 일제히 하락한 영향과 맞물려 발생했다. 시장은 중국의 메모리 기술 추격 속도가 예상보다 빠르다는 공포와 범용 D램 시장의 공급 과잉 가능성에 민감하게 반응했다.