사회

CXMT, 상하이증권거래소 과창판 상장

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3줄 요약

TL;DR
  1. 1중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2026년 7월 27일 상하이증권거래소 과학혁신판에 상장했다.
  2. 2상장 첫날 주가가 최대 535% 폭등하며 중국 본토 시가총액 1위에 등극했다.
  3. 3이번 IPO로 최대 14조 원 규모의 자금을 확보해 생산 설비 확충과 기술 개발에 투입할 계획이다.

사건 내용

상장 성과 및 시장 반응

창신메모리테크놀로지는 2026년 7월 27일 상하이증권거래소 과학혁신판(STAR Market)에 입성했다. 상장 첫날 주가는 공모가 8.66위안 대비 시초가부터 472% 상승했으며, 장중에는 최고 535%까지 폭등했다. 이로 인해 시가총액은 약 3조 3,000억 위안(약 713조 원)을 기록하며 기존 1위였던 중국공상은행(ICBC)을 제치고 중국 본토 상장사 시총 1위에 올랐다.

자금 조달 및 투자 계획

이번 기업공개(IPO)를 통해 CXMT는 579억 2,000만 위안을 조달했으며, 초과배정 옵션 행사 시 최대 666억 1,000만 위안(약 14조 4,000억 원)의 실탄을 확보하게 된다. 확보한 자금은 다음 영역에 집중 투입된다.

  • 생산능력 확대: 12인치 D램 웨이퍼 생산라인 증설을 통해 2030년까지 생산능력을 현재의 두 배 수준으로 확대할 계획이다.
  • 기술 고도화: DDR5, LPDDR5X 등 차세대 범용 D램 공정 전환과 고대역폭메모리(HBM) 연구개발(R&D)에 투자한다.

글로벌 D램 시장 영향

CXMT는 2026년 1분기 기준 글로벌 D램 시장 점유율 8%를 기록하며 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 이어 세계 4위 업체로 올라섰다. 특히 1년 전 3%였던 점유율을 빠르게 끌어올리며 추격 속도를 높이고 있다.

위협 요인과 한계점

  1. 범용 D램 시장 압박: 저가 물량 공세와 중국 내수 시장의 국산화 지원을 바탕으로 PC, 스마트폰용 범용 D램 시장에서 한국 기업의 수익성을 악화시킬 가능성이 크다.
  2. 기술 격차: 최첨단 제품인 HBM4 및 미세 공정에서는 한국 3사와 약 2~3세대(시간상 약 3년)의 기술 격차가 존재한다.
  3. 장비 제약: 미국 정부의 수출 규제로 인해 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 차단되어 초미세 공정 진입에 구조적 한계가 있다.

한국 증시의 연쇄 반응

CXMT의 성공적인 상장과 중국의 심자외선(DUV) 노광장비 자체 양산 소식이 겹치며 한국 반도체 업계에 대한 투자 심리가 급격히 위축됐다. 2026년 7월 28일 코스피 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 주가가 각각 13~14%대 폭락했으며, 지수는 11% 가까이 추락하며 서킷 브레이커가 발동되는 등 극심한 변동성을 보였다.

현황진행중

중국 본토 사상 최대 규모의 반도체 IPO를 통해 막대한 투자 자금을 확보했으며, 이를 바탕으로 범용 D램 시장 점유율 확대와 고부가 제품군 진입을 가속화하고 있다.

미확인

중국 DUV 노광장비 자체 개발 및 양산

해당 블로그 글에서는 ‘중국이 액침형 심자외선(DUV) 노광장비 생산에 나섰다’는 소식과 ‘중국이 자체 개발했다는’ 언급이 있음을 밝히고 있다. 이 외에 구체적인 기술 사양이나 공식 발표에 대한 내용은 제시되지 않는다.