검찰, 삼성전자 전직 임직원 D램 기술 유출 혐의 기소

한국 검찰이 전직 삼성전자 임직원들이 10nm급 D램 핵심 기술을 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 측에 유출한 혐의로 기소했다.

검찰은 유출된 기술이 CXMT가 10nm급 D램 공정을 구현하고 고대역폭메모리(HBM) 기술 기반을 마련하는 데 직접적인 영향을 미쳤다고 분석했다. CXMT는 2016년 설립 이후 중국의 D램 자립을 상징하는 기업으로 성장했으며, 최근 DDR5와 LPDDR5X 등 고성능 제품군을 공개하며 한국 선두 업체들을 빠르게 추격하고 있다.

산업계에서는 이번 사건이 중국의 급격한 기술 도약 과정에서 발생한 지식재산권 침해 사례로 보고 있다. 특히 HBM과 같은 초미세 공정은 진입 장벽이 매우 높으나, 이번 유출 사고가 중국 기업의 개발 기간을 단축시키는 촉매제가 되었을 가능성이 크다. 향후 재판 과정에서 기술 유출의 구체적인 규모와 CXMT의 실제 적용 범위가 쟁점이 될 전망이다.